નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

એક ઇન્ટ્રિન્સિક સેમિકન્ડક્ટર વિદ્યુતની દ્રષ્ટિએ તટસ્થ છે. મોટી સંખ્યામાં વિદ્યુતભાર વાહકો ધરાવતું એક્સટ્રિન્સિક સેમિકન્ડક્ટર કેવું હશે?

$P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે શુદ્ધ સિલિકોનમાં જે અશુદ્ધિના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે તે કયા છે?

$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સમાન સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16}\, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22}\, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું છે?

$n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરનો વિચાર કરો જેમાં $n_e$ અને $n_h$ અનુક્રમે ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા છે.
$(A)$ હોલ એ લઘુમતી વાહકો છે.
$(B)$ ડોપન્ટ એ પેન્ટાવેલેન્ટ પરમાણુ છે.
$(C)$ $n_e n_h \neq n_i^2$ (જ્યાં $n_i$ એ સેમિકન્ડક્ટર જ્યારે તે આંતરિક સ્વરૂપમાં હોય ત્યારે ઇલેક્ટ્રોન અથવા હોલની સંખ્યા છે).
$(D)$ $n_e n_h \geq n_i^2$.
$(E)$ હોલ ડોનરને કારણે ઉત્પન્ન થતા નથી.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો.

$N$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં,ડોનર ઊર્જાસ્તરો $E_D$ ક્યાં આવેલા હોય છે?