अनबायस्ड PN जंक्शन के डिप्लेशन ज़ोन (depletio | vedclass

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Question

(D) $PN$ जंक्शन में डिप्लेशन ज़ोन की चौड़ाई $(W)$ का सूत्र $W = \sqrt{\frac{2\epsilon V_{bi}}{q} \left( \frac{N_A + N_D}{N_A N_D} \right)}$ है,जहाँ $N

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$(b)$ और $(c)$ दोनों।

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(D) $PN$ जंक्शन में डिप्लेशन ज़ोन की चौड़ाई $(W)$ का सूत्र $W = \sqrt{\frac{2\epsilon V_{bi}}{q} \left( \frac{N_A + N_D}{N_A N_D} \right)}$ है,जहाँ $N_A$ और $N_D$ एक्सेप्टर और डोनर डोपेंट घनत्व हैं। अतः,चौड़ाई डोपेंट घनत्व पर निर्भर करती है।डिप्लेशन क्षेत्र में स्थिर आयनित डोपेंट परमाणु ($P$-साइड पर ऋण आयन और $N$-साइड पर धन आयन) होते हैं। ये स्थिर आवेश एक आंतरिक विद्युत क्षेत्र बनाते हैं जो आवेश वाहकों के आगे प्रसार का विरोध करता है।इसलिए,कथन $(b)$ और $(c)$ दोनों सही हैं।

अनबायस्ड $PN$ जंक्शन के डिप्लेशन ज़ोन (depletion zone) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा/से कथन सत्य है/हैं?

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