जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड पर रिवर्स बायस लगाया जाता है,तो विभव प्राचीर (potential barrier) पर क्या प्रभाव पड़ता है?

दी गई आकृति में,तीन सिलिकॉन डायोड श्रेणी क्रम में जुड़े हुए हैं। बिंदु $X$ पर कितना वोल्टेज होने पर तीनों डायोड फॉरवर्ड बायस में आ जाएंगे?

जब एक $p-n$ जंक्शन पर वोल्टेज $V$ लगाया जाता है,तो उससे प्रवाहित धारा $I = I_0 \left( e^{\frac{V}{2 V_T}} - 1 \right)$ द्वारा दी जाती है,जहाँ $I_0$ और $V_T$ स्थिरांक हैं। यदि $r_d(I)$ जंक्शन का डायनेमिक प्रतिरोध है,तो $r_d(1000 I_0) = \alpha r_d(10 I_0)$,जहाँ $\alpha$ लगभग किसके बराबर है?

निम्नलिखित परिपथ पर विचार करें। इनपुट में दिया गया तरंग रूप चित्रानुसार है। यदि ${V_{B_1}}$ और ${V_{B_2}}$ इनपुट के शिखर मान से कम हैं,तो आउटपुट कैसा दिखेगा?

चित्र में एक $p-n$ जंक्शन डायोड का $I-V$ अभिलक्षण दर्शाया गया है। जब $1 \text{ V}$ का फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो $p-n$ जंक्शन का अनुमानित गतिक प्रतिरोध (dynamic resistance) ज्ञात कीजिए। ($Omega$ में)

$PN-$जंक्शन डायोड को कैसे जोड़ने पर वह एक कुचालक (insulator) के रूप में कार्य करता है?