अनबायस्ड $PN$ जंक्शन के डिप्लीशन ज़ोन (depletion zone) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा/से कथन सत्य है/हैं?
$(A)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स (अशुद्धियों) के घनत्व से स्वतंत्र है।
$(B)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स के घनत्व पर निर्भर करती है।
$(C)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र आयनित डोपेंट परमाणुओं द्वारा उत्पन्न होता है।
$(D)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र कंडक्शन बैंड में इलेक्ट्रॉनों और वैलेंस बैंड में होल्स द्वारा प्रदान किया जाता है।

  • A
    $A, D$ सत्य हैं।
  • B
    $B, C$ सत्य हैं।
  • C
    $A, C$ सत्य हैं।
  • D
    इनमें से कोई नहीं।

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एक अनबायस्ड सेमीकंडक्टर डायोड में डिप्लीशन रीजन वह क्षेत्र है जिसमें क्या होता है?

$P-N$ जंक्शन की अवक्षय परत (depletion layer) ....... से बनी होती है।

$p-n$ जंक्शन को जोड़ने की विधियाँ बताइए।

नीचे दिए गए परिपथ में,धारा का मान क्या है?

चित्र में दिखाए गए परिपथ में,परिपथ नेटवर्क के लिए वोल्टेज $V_0$ ज्ञात कीजिए।

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