$P-N$ जंक्शन की अवक्षय परत (depletion layer) ....... से बनी होती है।

अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई लगभग ....... होती है।

परिपथ में धारा $i$ ज्ञात कीजिए।

$P-N$ जंक्शन बनाने के लिए $Si$ पदार्थ का उपयोग किया गया है। तो डिप्लेशन बैरियर की ऊंचाई लगभग कितने $V$ होगी?

निम्नलिखित कथनों के संदर्भ में कौन सा सही है? $n$ से $p$-साइड की ओर इलेक्ट्रॉनों के विसरण (diffusion) के कारण:
$I$. अवक्षय (depletion) क्षेत्र में इलेक्ट्रॉन जमा हो जाते हैं।
$II$. इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट धारा $p$-साइड से $n$-साइड की ओर होती है।
$III$. $n$-क्षेत्र में एक आयनित दाता (donor) शेष रह जाता है।
$IV$. $n$-साइड के इलेक्ट्रॉन $p$-साइड में आते हैं और $p$-साइड में इलेक्ट्रॉन-होल संयोजन होता है।
निम्नलिखित में से सही विकल्प चुनें।

एक p-n जंक्शन पर $0.4 \,V$ का विभव प्राचीर (potential barrier) मौजूद है। एक इलेक्ट्रॉन $n$-साइड से $6.0 \times 10^{5} \,ms^{-1}$ की गति से जंक्शन में प्रवेश करता है। जिस गति से इलेक्ट्रॉन $p$-साइड में प्रवेश करेगा,वह $\frac{x}{3} \times 10^{5} \,ms^{-1}$ है। $x$ का मान ............. है।
(दिया गया है: इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान $= 9 \times 10^{-31} \,kg$,इलेक्ट्रॉन पर आवेश $= 1.6 \times 10^{-19} \,C$.)