चित्र में दिखाए गए परिपथ में,परिपथ नेटवर्क के लिए वोल्टेज $V_0$ ज्ञात कीजिए।

फॉरवर्ड बायस के दौरान एक डायोड की वोल्टेज-करंट विशेषता $I = 7.8 \times 10^{-5} e^{6.5 V_D}$ द्वारा दी गई है,जहाँ $I$ करंट $mA$ में है और $V_D$ डायोड वोल्टेज $V$ में है। जब करंट $4 \ mA$ हो,तो डायोड का डायनेमिक प्रतिरोध $\Omega$ में ज्ञात कीजिए।

दिए गए परिपथ में आदर्श डायोड से प्रवाहित होने वाली धारा ज्ञात कीजिए। ($A$ में)

जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड को रिवर्स बायस किया जाता है,तो अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई

सिलिकॉन डायोड का $V-I$ अभिलक्षण चित्र में दर्शाया गया है। $(a) \; I_{D} = 15 \, mA$ और $(b) \; V_{D} = -10 \, V$ पर डायोड का प्रतिरोध ज्ञात कीजिए।

जैसा कि चित्र में दिखाया गया है,एक डायोड को बाहरी प्रतिरोधक से जोड़ा गया है। मान लीजिए कि डायोड में उत्पन्न बैरियर विभव $0.5 \ V$ है। परिपथ में धारा का मान मिली एम्पियर में ज्ञात कीजिए। ($mA$ में)