जब $\lambda$ तरंगदैर्ध्य के विकिरण का उपयोग एक धात्विक सतह को प्रकाशित करने के लिए किया जाता है,तो निरोधी विभव (stopping potential) $V$ है। जब उसी सतह को $3 \lambda$ तरंगदैर्ध्य के विकिरण से प्रकाशित किया जाता है,तो निरोधी विभव $\frac{V}{4}$ है। यदि धात्विक सतह के लिए देहली तरंगदैर्ध्य (threshold wavelength) $n \lambda$ है,तो $n$ का मान क्या होगा?

धातु की सतह पर आपतित फोटॉन की ऊर्जा क्रमशः $3W$ और $5W$ है,जहाँ $W$ उस धातु का कार्य फलन (work function) है। उत्सर्जित फोटोइलेक्ट्रॉन के अधिकतम वेग का अनुपात ज्ञात कीजिए।

$1.6 \times 10^7 \ m/s$ के वेग से गतिमान एक इलेक्ट्रॉन की तरंगदैर्ध्य $0.4 \ \mathring{A}$ है। इलेक्ट्रॉन की गति के लिए आवश्यक त्वरक वोल्टेज क्या है? (इलेक्ट्रॉन पर आवेश $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$,इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान $= 9 \times 10^{-31} \ kg$)

जब एकवर्णी प्रकाश का एक बिंदु स्रोत फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $0.2 \ m$ की दूरी पर होता है,तो कट-ऑफ वोल्टेज और संतृप्त धारा क्रमशः $0.6 \ V$ और $18 \ mA$ होती है। यदि उसी स्रोत को फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $0.6 \ m$ दूर रखा जाए,तो:

$1\, cm$ त्रिज्या और $4.47\, eV$ कार्य फलन वाले तांबे के गोले पर $2500\, \mathring{A}$ तरंगदैर्ध्य के पराबैंगनी विकिरण आपतित किए जाते हैं। विकिरण के प्रभाव के कारण गोले से इलेक्ट्रॉनों का उत्सर्जन होता है। इसके परिणामस्वरूप गोला आवेशित हो जाता है और उस पर एक निश्चित विभव उत्पन्न होता है। गोले पर अर्जित आवेश है:

जब $4.25 \, eV$ ऊर्जा का एक फोटॉन धातु $A$ की सतह पर टकराता है,तो उत्सर्जित फोटोइलेक्ट्रॉन की अधिकतम गतिज ऊर्जा $T_A \, eV$ और डी-ब्रोग्ली तरंगदैर्ध्य ${\lambda _A}$ होती है। $4.70 \, eV$ ऊर्जा के फोटॉन द्वारा दूसरी धातु $B$ से मुक्त फोटोइलेक्ट्रॉन की अधिकतम गतिज ऊर्जा $T_B = (T_A - 1.50) \, eV$ है। यदि इन फोटोइलेक्ट्रॉन की डी-ब्रोग्ली तरंगदैर्ध्य ${\lambda _B} = 2{\lambda _A}$ है,तो: