ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$Y$-અક્ષ પર સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અને $X$-અક્ષ પર આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ લઈને આલેખ દોરવામાં આવે છે. જો આલેખ એક સીધી રેખા હોય જે $Y$-અક્ષ સાથે $\theta$ ખૂણો બનાવે છે,તો $\tan \theta=$ ($h$-પ્લાન્કનો અચળાંક,$e$-ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર).

મર્ક્યુરી લેમ્પ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનની આવૃત્તિ પરની નિર્ભરતાનો અભ્યાસ કરવા માટે એક અનુકૂળ સ્ત્રોત છે,કારણ કે તે $UV$ થી દ્રશ્યમાન વર્ણપટના લાલ છેડા સુધીની ઘણી વર્ણપટ રેખાઓ આપે છે. રુબિડિયમ ફોટોસેલ સાથેના અમારા પ્રયોગમાં,મર્ક્યુરી સ્ત્રોતની નીચેની રેખાઓનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો હતો:
$\lambda_1 = 3650 \,\mathring{A}, \lambda_2 = 4047 \,\mathring{A}, \lambda_3 = 4358 \,\mathring{A}, \lambda_4 = 5461 \,\mathring{A}, \lambda_5 = 6907 \,\mathring{A}$
તેમના અનુરૂપ સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ નીચે મુજબ માપવામાં આવ્યા હતા:
$V_{01} = 1.28 \,V, V_{02} = 0.95 \,V, V_{03} = 0.74 \,V, V_{04} = 0.16 \,V, V_{05} = 0 \,V$
પ્લાન્કનો અચળાંક $h$,થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ અને પદાર્થ માટે વર્ક ફંક્શનનું મૂલ્ય નક્કી કરો.

જ્યારે કોઈ ધાતુ પર $\lambda$ $(\lambda < \lambda_0)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત તમામ ફોટોઈલેક્ટ્રોન $B_0$ ફ્લક્સ ઘનતા ધરાવતા ચુંબકીય ક્ષેત્ર દ્વારા $r$ ત્રિજ્યાના વર્તુળમાં વળે છે. $\frac{1}{\lambda_0}$ શોધો,જ્યાં $\lambda_0$ એ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ છે.

એક ધાતુની સપાટી પર ધાતુના વર્ક ફંક્શન કરતાં બમણી અને ત્રણ ગણી ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન આપાત થાય છે. તો,બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

જ્યારે ધાતુની સપાટી પર વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણ આપાત થાય ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ....... પર આધાર રાખે છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા છે?
$I$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા પ્રકાશની આવૃત્તિ પર આધાર રાખતી નથી.
$II$ અત્યંત તીવ્ર પ્રકાશ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર હંમેશા જોવા મળે છે.
$III$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખતી નથી.
$IV$ વધુ આવૃત્તિ માટે બહાર નીકળતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા વધારે હોય છે.