जब एक अर्धचालक (semiconductor) को दाता अशुद्धि (donor impurity) के साथ डोप किया जाता है,

$p$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) में आवेश वाहक (charge carriers) होते हैं

एक $Ge$ नमूने को $Al$ के साथ डोप किया गया है। स्वीकर्ता (acceptor) परमाणुओं की सांद्रता $10^{21} \text{ atoms}/m^3$ है। यदि इलेक्ट्रॉन-होल युग्मों की आंतरिक सांद्रता $10^{19} /m^3$ है, तो नमूने में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता क्या होगी?

एक $p$-प्रकार के अर्धचालक में,ग्राही (acceptor) स्तर संयोजी बैंड (valence band) से $50 \text{ meV}$ ऊपर है। एक होल उत्पन्न करने के लिए,आवश्यक प्रकाश फोटॉन की अधिकतम तरंगदैर्ध्य क्या है ($\mu \text{m}$ में)? (प्लांक नियतांक,$h = 6.6 \times 10^{-34} \text{ Js}$ और निर्वात में प्रकाश की गति,$c = 3 \times 10^8 \text{ m/s}$)

मान लीजिए कि $n_e$ एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या घनत्व है और $v_d$ अपवाह वेग (drift velocity) है। जब तापमान बढ़ाया जाता है:

$P$-प्रकार के अर्धचालक में, स्वीकर्ता (acceptor) ऊर्जा स्तर $E_A$ वैलेंस बैंड के ऊपर $57 \, meV$ पर स्थित है। होल बनाने के लिए आवश्यक अधिकतम तरंगदैर्ध्य ....... $\mathring{A}$ है। (दिया है: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \, s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)