$P$-प्रकार के अर्धचालक में, स्वीकर्ता (acceptor) ऊर्जा स्तर $E_A$ वैलेंस बैंड के ऊपर $57 \, meV$ पर स्थित है। होल बनाने के लिए आवश्यक अधिकतम तरंगदैर्ध्य ....... $\mathring{A}$ है। (दिया है: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \, s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)

यदि $5 \times 10^7$ सिलिकॉन परमाणुओं के प्रति एक इंडियम परमाणु को डोप किया जाता है,और सिलिकॉन परमाणुओं का संख्या घनत्व $5 \times 10^{28} \, \text{atoms}/\text{m}^3$ है,तो $\text{atoms}/\text{cm}^3$ में स्वीकर्ता (एक्सेप्टर) परमाणुओं का संख्या घनत्व ज्ञात कीजिए।

एक $n$-प्रकार के अर्धचालक पर विचार करें जिसमें $n_e$ और $n_h$ क्रमशः इलेक्ट्रॉनों और होल्स की संख्या हैं।
$(A)$ होल्स अल्पसंख्यक वाहक हैं।
$(B)$ डोपेंट एक पंचसंयोजी (pentavalent) परमाणु है।
$(C)$ $n_e n_h \neq n_i^2$ (जहाँ $n_i$ अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों या होल्स की संख्या है जब वह अपने आंतरिक रूप में होता है)।
$(D)$ $n_e n_h \geq n_i^2$.
$(E)$ होल्स डोनर के कारण उत्पन्न नहीं होते हैं।
नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें।

$P$-प्रकार के अर्धचालक में,ग्राही (Acceptor) ऊर्जा स्तर $E_A$ कहाँ स्थित होते हैं?

निम्नलिखित में से कौन सा कथन गलत है?

यदि $n_{e}$ और $n_{h}$ फॉस्फोरस के साथ भारी मात्रा में डोप किए गए अर्धचालक में क्रमशः इलेक्ट्रॉनों और होल्स की संख्या हैं,तो: