જ્યારે $p-n$ જંકશનને ફોરવર્ડ બાયસ આપવામાં આવે છે,ત્યારે તે . . . . . . .

એક સેમિકન્ડક્ટર $p-n$ ડાયોડમાં,$p$-બાજુ અને $n$-બાજુ પર ડોપિંગ સાંદ્રતા અનુક્રમે $10^{15} \text{ atoms/cm}^3$ અને $10^{18} \text{ atoms/cm}^3$ છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

જો આકૃતિમાંના દરેક ડાયોડનો ફોરવર્ડ બાયસ અવરોધ $25\,\Omega$ હોય અને રિવર્સ બાયસમાં અનંત અવરોધ હોય,તો પ્રવાહ $I_1, I_2, I_3$ અને $I_4$ ના મૂલ્યો શું હશે?

જ્યારે ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય,ત્યારે તેનો વોલ્ટેજ ડ્રોપ $0.5\, V$ હોય છે. ડાયોડમાંથી પસાર થતા પ્રવાહની સુરક્ષિત મર્યાદા $10\, mA$ છે. જો સર્કિટમાં $1.5\, V$ emf ધરાવતી બેટરીનો ઉપયોગ કરવામાં આવે,તો ડાયોડ સાથે શ્રેણીમાં જોડવા માટેના લઘુત્તમ અવરોધનું મૂલ્ય કેટલું હોવું જોઈએ જેથી પ્રવાહ સુરક્ષિત મર્યાદાથી વધે નહીં? $.....\, \Omega$.

આપેલ પરિપથમાં,બેટરીમાંથી વહેતો પ્રવાહ $(I) ..........\,A$ હશે.

પરિપથમાં પ્રવાહ $I$ (એમ્પીયરમાં) શોધો.