एक $P-N$ जंक्शन ............ होता है।

यदि $P-N$ जंक्शन पर कोई बाहरी वोल्टेज लागू नहीं किया जाता है,तो क्या होगा?

जब एक $p-n$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो यह $\qquad$ .

सिलिकॉन $P-N$ जंक्शन में फॉरवर्ड और रिवर्स बायस में आवेश वाहकों (charge carriers) की गति के लिए प्रमुख तंत्र (mechanism) क्या है?

एक $P-N$ जंक्शन डायोड में,यदि $P$ क्षेत्र $n$ क्षेत्र की तुलना में अधिक भारी रूप से डोप (heavily doped) किया गया है,तो अवक्षय परत (depletion layer) होगी:

चित्र में एक $P-N$ जंक्शन डायोड का $i-V$ अभिलक्षण दर्शाया गया है। जब $2 \; V$ का फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो $P-N$ जंक्शन का अनुमानित गतिक प्रतिरोध (dynamic resistance) ....... $\Omega$ है।