જ્યારે કોઈ ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{3}$ છે. સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

નીચેનામાંથી કયો આલેખ આપાત વિકિરણની તીવ્રતા $(I)$ સાથે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(E)$ ના સાચા ફેરફારને દર્શાવે છે?

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે,જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જ્યારે તે જ ધાતુ પર $2\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ થાય છે. આપેલ ધાતુ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $\alpha\lambda$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે.

જ્યારે $3.8 \,eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન $2.8 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા .......... $eV$ હોય છે.

$6 \times 10^{14} \, Hz$ ની આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $2 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર આપાત થાય છે. $[h = 6.63 \times 10^{-34} \, Js, 1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J]$. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ............ $eV$ હશે. ($.49$ માં)

$5.01 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી નિકલની સપાટી પર $200 \, nm$ ની અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $V$ હોવો જોઈએ.