જ્યારે $3.8 \,eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન $2.8 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા .......... $eV$ હોય છે.

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈમાં $50 \%$ નો ઘટાડો કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રારંભિક મહત્તમ ગતિઊર્જા કરતા $3$ ગણી થાય છે. પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) શોધો ($h$ - પ્લાન્કનો અચળાંક,$c$ - શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ).

સીઝિયમ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $2.14 \; eV$ છે. જ્યારે $6 \times 10^{14} \; Hz$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઇલેક્ટ્રોનનું ફોટો-ઉત્સર્જન થાય છે. તો
$(a)$ ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા,
$(b)$ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ,અને
$(c)$ ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?

$8 \times 10^{15} \ Hz$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $6.125 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતા પદાર્થ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ........... $eV$ છે.

$4.13 eV$ નો $UV$ પ્રકાશ $3.13 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($eV$ માં)?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં, ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા શેના પર આધાર રાખે છે?