જ્યારે $Ge$ સ્ફટિકોમાં ફોસ્ફરસ પરમાણુઓનું ડોપિંગ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તે શું બને છે?

$300\, K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન $(n_i = 10^{16}/m^3)$ સ્ફટિકમાં,દર ઘન મીટર દીઠ $10^{21}$ ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે. તો નવી હોલ સાંદ્રતા કેટલી થશે?

જર્મેનિયમની ઇલેક્ટ્રોનિક ગોઠવણી $2, 8, 18, 4$ છે. તેને એક્સટ્રિન્સિક સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે તેમાં એન્ટિમનીની થોડી માત્રા ઉમેરવામાં આવે છે. પરિણામી પદાર્થનું સ્વરૂપ શું હશે?

એક સિલિકોન નમૂનાને $5 \times 10^7$ સિલિકોન પરમાણુ દીઠ સરેરાશ એક ઇન્ડિયમ પરમાણુ ઉમેરીને $P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ફેરવવામાં આવે છે. જો સિલિકોન નમૂનામાં પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ atoms}/m^3$ હોય,તો સિલિકોનમાં પ્રતિ ઘન સેન્ટિમીટર દીઠ એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા કેટલી હશે?

$p-$ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,મુખ્ય ચાર્જ કેરિયર્સ કયા છે?

નીચેનામાંથી કઈ ઉર્જા બેન્ડ આકૃતિઓ અનુક્રમે $N-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર અને $P-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર દર્શાવે છે?