$300\, K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન $(n_i = 10^{16}/m^3)$ સ્ફટિકમાં,દર ઘન મીટર દીઠ $10^{21}$ ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે. તો નવી હોલ સાંદ્રતા કેટલી થશે?

એક સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $2 \times 10^8 \ m^{-3}$ છે. ચોક્કસ અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી,ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધીને $4 \times 10^{10} \ m^{-3}$ થાય છે,તો સેમિકન્ડક્ટરની નવી હોલ સાંદ્રતા કેટલી હશે?

નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે? $p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને શેના વડે ડોપ કરવામાં આવે છે?

એક $P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \; meV$ પર છે. હોલ બનાવવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \; J \cdot s$, પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 \; m/s$)

નીચેનામાંથી કઈ ઉર્જા બેન્ડ આકૃતિઓ અનુક્રમે $N-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર અને $P-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર દર્શાવે છે?

ઇન્ટ્રિન્સિક (શુદ્ધ) અને એક્સટ્રિન્સિક (અશુદ્ધ) સેમિકન્ડક્ટર વચ્ચેનો તફાવત લખો.