સમાન કેપેસિટન્સ $C$ ધરાવતા બે સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $E$ જેટલા e.m.f. ધરાવતી બેટરી સાથે સમાંતરમાં જોડવામાં આવે છે. ત્યારબાદ,એક કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થથી સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે છે. સમાંતર જોડાણના અસરકારક કેપેસિટન્સમાં થતો ફેરફાર કેટલો હશે?

પ્લેટોની વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ ધરાવતા $C_1$ કેપેસિટન્સવાળા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. તેની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $V_1$ છે. જ્યારે કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડેલું રાખીને ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દૂર કરવામાં આવે છે,ત્યારે નવું કેપેસિટન્સ અને વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત અનુક્રમે $C_2$ અને $V_2$ થાય છે. તો:

એલ્યુમિનિયમ ફોઇલની અવગણ્ય જાડાઈ ધરાવતી શીટને કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ

વિધાન : જો કેપેસિટરની સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ત્રણ ગણો કરવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સ $6$ ગણું થાય છે.
કારણ : કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ પ્લેટો વચ્ચેના પદાર્થના પ્રકાર પર આધાર રાખતું નથી.

જો ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરમાં ડાયઇલેક્ટ્રિક દાખલ કરવામાં આવે (બેટરી દૂર કરવામાં આવે),તો કઈ રાશિ અચળ રહે છે?

$4\,cm$ પહોળાઈ,$8\,cm$ લંબાઈ અને $4\,mm$ પ્લેટો વચ્ચેના અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $20\,V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. $5$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી,$1\,cm$ લંબાઈ,$4\,cm$ પહોળાઈ અને $4\,mm$ જાડાઈ ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. આ તંત્રની સ્થિત-વિદ્યુત ઉર્જા ......... $\epsilon_{0}\,J$ હશે. (જ્યાં $\epsilon_{0}$ એ શૂન્યાવકાશની પરમિટિવિટી છે)