બે ધાતુની પ્લેટો એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવે છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. $\frac{d}{2}$ જાડાઈની અને દરેક પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું જ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક ધાતુની શીટ પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. કેપેસિટરના નવા કેપેસિટન્સ અને મૂળ કેપેસિટન્સનો ગુણોત્તર શું હશે?

$C$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરમાં $A$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી બે પ્લેટો વચ્ચે $d$ અંતર છે. પ્લેટો વચ્ચેનો વિસ્તાર $N$ ડાયલેક્ટ્રિક સ્તરોથી ભરેલો છે,જે પ્લેટોને સમાંતર છે,દરેકની જાડાઈ $\delta = \frac{d}{N}$ છે. $m^{\text{th}}$ સ્તરનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_m = K(1 + \frac{m}{N})$ છે. ખૂબ મોટા $N (> 10^3)$ માટે,કેપેસીટન્સ $C = \alpha \left( \frac{K \varepsilon_0 A}{d \ln 2} \right)$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે?
[$\varepsilon_0$ એ શૂન્યાવકાશની પરમિટિવિટી છે]

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં,અનુક્રમે $t_1$ અને $t_2$ જાડાઈ અને $K_1$ અને $K_2$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી બે ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવે છે. આ કેપેસિટરની કેપેસિટી કેટલી હશે?

C કેપેસિટન્સ (કોઈપણ ડાઈઈલેક્ટ્રિક વગર) ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા હવે \(K _1=2, K_2=3\) અને \(K _3=5\) ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંકવાળા ત્રણ ડાઈઈલેક્ટ્રિક સ્લેબથી ભરેલી છે (આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ). જો નવી કેપેસિટન્સ \(\frac{ n }{3} C\) હોય, તો \(n\) નું મૂલ્ય ___________.

હવામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક ધરાવતા કેપેસિટરને $100\;V$ ના પોટેન્શિયલ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. જો પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $K = 10$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે,તો પ્લેટો વચ્ચેનો પોટેન્શિયલ તફાવત કેટલો થશે ($;V$ માં)?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $10\,mm$ છે. તેમાં બે ડાયલેક્ટ્રિક શીટ્સ છે,એકનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $10$ અને જાડાઈ $6\,mm$ છે અને બીજીનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $5$ અને જાડાઈ $4\,mm$ છે. કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ શોધો.