$r$ ત્રિજ્યા ધરાવતી બે ધાતુની પ્લેટો $d$ અંતરે રાખેલી છે અને તેની કેપેસિટન્સ $C$ છે. જો $r/2$ ત્રિજ્યા અને $d$ જાડાઈ ધરાવતી $6$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંકવાળી પ્લેટને કેપેસિટરની પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે,તો તેનું નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $100 \ V$ ના સ્થિતિમાન સુધી વિદ્યુતભારીત કરવામાં આવે છે. હવે $2 \ mm$ જાડાઈની ડાય-ઇલેક્ટ્રિક પ્લેટને બે પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. સમાન વિદ્યુત સ્થિતિમાન જાળવી રાખવા માટે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1.6 \ mm$ જેટલું વધારવામાં આવે છે,તો પ્લેટનો ડાય-ઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

$5 \ mm$ પ્લેટ સેપરેશન ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે. જ્યારે બેટરીના જોડાણો યથાવત રાખીને $2 \ mm$ જાડાઈની ડાયઇલેક્ટ્રિક શીટ દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે કેપેસિટર અગાઉ કરતા $25 \%$ વધુ ચાર્જ ખેંચે છે. શીટનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક . . . . . . છે.

નીચે આપેલી આકૃતિમાં બે સમાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર દર્શાવેલ છે જે સ્વીચ $S$ બંધ રાખીને બેટરી સાથે જોડાયેલા છે. હવે સ્વીચ ખોલવામાં આવે છે અને બંને કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની ખાલી જગ્યામાં $K = 3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક દાખલ કર્યા પહેલા અને પછી બંને કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત કુલ સ્થિત-વિદ્યુત ઉર્જાનો ગુણોત્તર શું હશે?

$40 \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર-પ્લેટ કેપેસિટરને $100 V$ ના પાવર સપ્લાય સાથે જોડવામાં આવે છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $K=2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થને ભરવામાં આવે છે. ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવાને કારણે,કેપેસિટરમાં વધારાનો વિદ્યુતભાર અને સ્થિત-વિદ્યુત ઉર્જામાં થતો ફેરફાર અનુક્રમે કેટલો હશે?

ચાર સમાન પ્લેટો $1, 2, 3$ અને $4$ ને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એકબીજાથી સમાન અંતરે સમાંતર રાખવામાં આવી છે. પ્લેટ $1$ અને $4$ ને એકસાથે જોડવામાં આવે છે અને $2$ અને $3$ વચ્ચેની જગ્યામાં $k = 2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે છે. $1$ અને $3$ વચ્ચે અને $2$ અને $4$ વચ્ચેની સિસ્ટમનું કેપેસીટન્સ અનુક્રમે $C_1$ અને $C_2$ છે. ગુણોત્તર $\frac{C_1}{C_2}$ કેટલો થાય?