$200 \,\mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $200 \,V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જ્યારે બેટરી જોડાયેલી રહે છે,ત્યારે કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચે $2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટરમાં સ્થિત વિદ્યુત ઊર્જામાં થતો ફેરફાર ...... $J$ હશે.

એક હવાના કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવાથી શું વધે છે?

$40 \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર-પ્લેટ કેપેસિટરને $100 V$ ના પાવર સપ્લાય સાથે જોડવામાં આવે છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $K=2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થને ભરવામાં આવે છે. ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવાને કારણે,કેપેસિટરમાં વધારાનો વિદ્યુતભાર અને સ્થિત-વિદ્યુત ઉર્જામાં થતો ફેરફાર અનુક્રમે કેટલો હશે?

$2C$ અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા બે કેપેસિટરોને સમાંતર જોડવામાં આવે છે અને $V$ પોટેન્શિયલ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે છે. હવે કેપેસિટરો વચ્ચેનો પોટેન્શિયલ તફાવત કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરમાં, પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર ઘટાડીને ચોથા ભાગનું કરવામાં આવે છે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યામાં $2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું માધ્યમ ભરવામાં આવે છે। જો કેપેસિટરની પ્રારંભિક કેપેસિટન્સ $4 \mu F$ હોય, તો તેની નવી કેપેસિટન્સ કેટલી હશે ($\mu F$ માં)?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ તેને પોટેન્શિયલ ડિફરન્સના સ્ત્રોતથી અલગ કરવામાં આવે છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટોને ઇન્સ્યુલેટેડ હેન્ડલનો ઉપયોગ કરીને એકબીજાથી દૂર ખસેડવામાં આવે,તો નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?