સોડિયમ પર ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5000 \ Å$ છે. તેનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે?

એક જગ્યાએ પ્રકાશનું સમીકરણ $\varepsilon = (100 \text{ V/m}) [\sin(5 \times 10^{15} \text{ s}^{-1})t + \sin(8 \times 10^{15} \text{ s}^{-1})t]$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે, જે $2 \text{ eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $\text{eV}$ માં ગણો.

આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વચ્ચેનો આલેખ કેવો હોય છે?

$670.5\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો એક મોનોક્રોમેટિક નિયોન લેમ્પ એક પ્રકાશ-સંવેદનશીલ પદાર્થ પર આપાત થાય છે,જેનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ $0.48\, V$ છે. જો પ્રકાશના સ્ત્રોતને $474.6\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા બીજા સ્ત્રોત સાથે બદલવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ કેટલો હશે? ($V$ માં)

જ્યારે $300 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર પડે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન માત્ર મુક્ત થાય છે. બીજા ઉત્સર્જક માટે,$600 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રોન મુક્ત કરવા માટે પૂરતો છે. બે ઉત્સર્જકોના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર કેટલો છે?

એક ધાતુને $800 \, nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશમાં રાખતા તે અમુક ગતિઊર્જા સાથે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. જ્યારે $500 \, nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $... \, eV$ છે ($hc = 1230 \, eV \cdot nm$ લો).