એક ધાતુને $800 \, nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશમાં રાખતા તે અમુક ગતિઊર્જા સાથે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. જ્યારે $500 \, nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $... \, eV$ છે ($hc = 1230 \, eV \cdot nm$ લો).

$4.8 \ cm$ ત્રિજ્યાનો એક ચાંદીનો ગોળો શૂન્યાવકાશ ચેમ્બરમાં દોરા વડે લટકાવેલ છે. $200 \ nm$ તરંગલંબાઈનો $UV$ પ્રકાશ ગોળા પર અમુક સમય માટે આપાત થાય છે,જે દરમિયાન કુલ $1 \times 10^{-7} \ J$ ઊર્જા સપાટી પર પડે છે. જો સરેરાશ દર $10^3$ આપાત ફોટોનમાંથી એક ફોટોન ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરતો હોય,તો ગોળા પરનું સ્થિતિમાન ............ $V$ હશે.

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ પર,જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિમાં $30 \%$ નો વધારો કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા $0.4 \ eV$ થી વધીને $0.9 \ eV$ થાય છે. સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે ($eV$ માં)?

$P$ પાવર ધરાવતા સ્ત્રોત દ્વારા ઉત્સર્જિત $\lambda$ તરંગલંબાઈના ફોટોન ફોટોસેલ પર આપાત થાય છે. જો સેલમાં ઉત્પન્ન થતો પ્રવાહ $I$ હોય,તો ફોટોસેલમાં પ્રવાહ ઉત્પન્ન કરતા આપાત ફોટોનની ટકાવારી કેટલી હશે? (જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ છે)

એક ધાતુની સપાટીને વારાફરતી $E_{1} = 4 \ eV$ અને $E_{2} = 2.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર $2$ છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $eV$ માં કેટલું હશે?

$5.01 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી નિકલની સપાટી પર $200 \, nm$ ની અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $V$ હોવો જોઈએ.