એક જગ્યાએ પ્રકાશનું સમીકરણ $\varepsilon = (100 \text{ V/m}) [\sin(5 \times 10^{15} \text{ s}^{-1})t + \sin(8 \times 10^{15} \text{ s}^{-1})t]$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે, જે $2 \text{ eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $\text{eV}$ માં ગણો.

સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $6 \times 10^{-7} \, m$ છે. તો $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન ક્યારે થશે?

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

આપેલ છે કે $10,000\;\mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના ફોટોનની ઉર્જા $1.23\; eV$ છે. જ્યારે $5000\;\mathring A$ તરંગલંબાઈ અને $I_0$ તીવ્રતા ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલ પર પડે છે,ત્યારે સેચ્યુરેશન કરંટ $0.40 \times 10^{-6}\; A$ અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.36\; V$ છે; તો વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ..... $eV$ છે.

એક ધાતુની સપાટી પર પ્રકાશ ઉત્સર્જન કરાવવા માટે ચોક્કસ તીવ્રતા અને આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. જો પ્રકાશની તીવ્રતા ઘટાડીને તેના મૂળ મૂલ્યના એક-ચતુર્થાંશ કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી થશે?

યાદી-$I$ માં આપેલ કૃષ્ણ પદાર્થ (black body) ના તાપમાનને યાદી-$II$ માં આપેલા યોગ્ય વિધાન સાથે જોડો અને સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
[આપેલ છે: વિનનો અચળાંક $2.9 \times 10^{-3} \, m-K$ અને $\frac{hc}{e}=1.24 \times 10^{-6} \, V-m$ ]

યાદી-$I$	યાદી-$II$
$(P)$ $2000 \, K$	$(1)$ મહત્તમ તરંગલંબાઇ પરનું વિકિરણ $4 \, eV$ કાર્યવિધેય ધરાવતી ધાતુમાંથી ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરી શકે છે.
$(Q)$ $3000 \, K$	$(2)$ મહત્તમ તરંગલંબાઇ પરનું વિકિરણ માનવ આંખ માટે દ્રશ્યમાન છે.
$(R)$ $5000 \, K$	$(3)$ મહત્તમ ઉત્સર્જન તરંગલંબાઇ પરનું વિકિરણ એક સ્લિટના વિવર્તનમાં સૌથી પહોળું મધ્યસ્થ અધિકતમ આપશે.
$(S)$ $10000 \, K$	$(4)$ એકમ ક્ષેત્રફળ દીઠ ઉત્સર્જિત પાવર $6000 \, K$ તાપમાને રહેલા કૃષ્ણ પદાર્થ દ્વારા ઉત્સર્જિત પાવરના $1/16$ ગણો છે.
	$(5)$ મહત્તમ ઉત્સર્જન તરંગલંબાઇ પરના વિકિરણનો ઉપયોગ માનવ હાડકાંના ઇમેજિંગ માટે થઈ શકે છે.