એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $90 \,cm ^{2}$ અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $2.5\,mm$ છે. કેપેસીટરને $400\,V$ ના સપ્લાય સાથે જોડીને વિદ્યુતભારિત કરવામાં આવે છે.
$(a)$ કેપેસીટર વડે કેટલી સ્થિતવિદ્યુતઊર્જા સંગ્રહિત થયેલ છે?
$(b)$ આ ઊર્જાને બે પ્લેટવચ્ચેના સ્થિતવિદ્યુત ક્ષેત્રમાં સંગ્રહ પામેલી ગણો અને એકમ કદ દીઠ ઊર્જા મેળવો. આ પરથી uઅને વિદ્યુતક્ષેત્રના માનદ વચ્ચેનો સંબંધ મેળવો.
Area of the plates of a parallel plate capacitor, $A=90 \,cm ^{2}=90 \times 10^{-4} \,m ^{2}$
Distance between the plates, $d =2.5\, mm =2.5 \times 10^{-3} \,m$
Potential difference across the plates, $V =400 \,V$
$(a)$ Capacitance of the capacitor is given by the relation, $c=\frac{\epsilon_{0} A}{a}$
Electrostatic energy stored in the capacitor is given by the relation,
$E_{1}=\frac{1}{2} C V^{2}=\frac{1}{2} \frac{\epsilon_{0} A}{d} V^{2}$
Where,
$\epsilon_{0}=$ Permittivity of free space $=8.85 \times 10^{-12} \,C ^{2} \,N ^{-1} \,m ^{-2}$
$\therefore E_{1}=\frac{1 \times 8.85 \times 10^{-12} \times 90 \times 10^{-4} \times(400)^{2}}{2 \times 2.5 \times 10^{-3}}$$=2.55 \times 10^{-6} \,J$
$(b)$ Volume of the given capacitor, $V^{\prime}=A \times d=90 \times 10^{-4} \times 25 \times 10^{-3}$$=2.25 \times 10^{-4} \,m ^{3}$
Energy stored in the capacitor per unit volume is given by, $u=\frac{E_{1}}{V^{\prime}}$
$=\frac{2.55 \times 10^{-6}}{2.25 \times 10^{-4}}=0.113 \,J\,m ^{-3}$
Again, $u=\frac{E_{1}}{V^{\prime}}$
$=\frac{\frac{1}{2} C V^{2}}{A d}=\frac{\frac{\epsilon_{0} A}{2 d} V^{2}}{A d}=\frac{1}{2} \epsilon_{0}\left(\frac{V}{d}\right)^{2}$
Where, $\frac{v}{a}=$ Electric intensity $= E$ Therefore, $U=\frac{1}{2} \epsilon_{0} E^{2}$
$A$ ક્ષેત્રફળ અને $Q$ વિદ્યુતભાર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની ઊર્જા ઘનતા કેટલી થાય?
$C_0$ કેપેસિટરને $V_0$ વોલ્ટની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે.
$(i) $ બેટરી દૂર કરીને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવાથી કેપેસિટરની ઊર્જા $E_1$
$(ii)$ બેટરી જોડેલ રાખીને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવાથી કેપેસિટરની ઊર્જા $E_2$
તો $E_1/E_2$
પ્લેટોની વચ્ચે $K$ ડાય-ઈલેકટ્રીક અચળાંક ધરાવતા ડાય ઈલેકટ્રીક સાથે એક સમાંતર પ્લેટ સંગ્રાહકની કેપેસિટી $C$ અને $A$ ને $V$ વોલ્ટ સ્થિતિમાન સુધી ચાર્જ કરેલ છે. પ્લેટો વચ્ચે ડાઈ ઈલેકટ્રીન સ્લેબને ધીમે ધીમે દૂર કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ ફરી દાખલ કરવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા તંત્ર દ્વારા થતું ચોખ્ખું કાર્ય.....
સમાન કેપેસિટન્સ $C$ ધરાવતાં કેપેસિટરને $V_1$ અને $V_2$ વોલ્ટેજથી ચાર્જ કરીને સમાંતરમાં જોડતાં તે કેટલી ઊર્જા ગુમાવશે?
$4\;V$ વિદ્યુતસ્થિતિમાનથી ચાર્જ કરેલા $C_1$ કેપેસીટરની ક્ષમતા ધરાવતા $n_1$ કેપેસીટરને શ્રેણીમાં જોડેલા છે. જ્યારે બીજા $V$ વિદ્યુતસ્થિતિમાનથી ચાર્જ કરેલા $C_2$ કેપેસીટરની ક્ષમતા ધરાવતા $n_2$ કેપેસીટરને સમાંતરમાં જોડવામાં આવે ત્યારે તેમાં સંગ્રહ થતી કુલ ઉર્જા પહેલા જોડાણમા સંગ્રહ થતી ઉર્જા જેટલી છે. તો $C_2$ નું મૂલ્ય $C_1$ ના પદમાં કેટલું થાય?