જ્યારે $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સામગ્રી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $E$ છે. જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $3\nu$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

ટંગસ્ટન પર સિઝિયમની બનેલી ફોટો સંવેદી સપાટીને નિયોન બલ્બમાંથી $640.2 \ nm$ $(1 \ nm = 10^{-9} \ m)$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. માપવામાં આવેલ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.54 \ V$ છે. જો આ સ્ત્રોતને બદલીને સમાન ફોટોસેલ પર $427.2 \ nm$ ની રેખા વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો નવું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલા $V$ હશે?

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર માટે સ્ટૉપિંગ પોટૅન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(f)$ નો આલેખ .......... હોય છે.

જ્યારે $n$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર પડે છે ત્યારે સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v$ છે. જો આપાત આવૃત્તિ વધારીને $3n$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

$4000 \,\mathring A$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર પડે છે અને $2 \,V$ નો નેગેટિવ પોટેન્શિયલ ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને અટકાવે છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ($eV$ માં) આશરે કેટલું હશે? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \,Js, \,e = 1.6 \times 10^{-19} \,C, \,c = 3 \times 10^8 \,m/s)$

સિલ્વરની ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $3250 \times 10^{-10} \, m$ છે. $2536 \times 10^{-10} \, m$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ દ્વારા સિલ્વરની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો વેગ કેટલો હશે? (આપેલ છે: $h = 4.14 \times 10^{-15} \, eV \cdot s$ અને $c = 3 \times 10^8 \, m/s$)