ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર માટે સ્ટૉપિંગ પોટૅન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(f)$ નો આલેખ .......... હોય છે.

શૂન્ય ફોટોઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ (સ્થિતિમાન):

સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.27 eV$ છે. $600 nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશથી ઉત્તેજિત સીઝિયમ કેથોડમાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટેનું કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલું હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈના મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો પ્રથમ કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બીજા કિસ્સાની તુલનામાં એક-તૃતીયાંશ હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે? ($c=$ પ્રકાશની ઝડપ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક)

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં, $y$-અક્ષ પર સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ અને $x$-અક્ષ પર આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ વચ્ચે દોરેલા આલેખનો ઢાળ કેટલો હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \text{ Js}$)

સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિશે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું નથી?