આલેખ ત્રણ પ્રકાશસંવેદનશીલ ધાતુઓ $X_1, X_2$ અને $X_3$ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $\nu$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_o$ માં થતો ફેરફાર દર્શાવે છે. આપાત વિકિરણની સમાન તરંગલંબાઈ માટે,કઈ ધાતુ વધુ ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરશે?

એક ધાતુની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $F_0$ છે. જ્યારે $2F_0$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $V_1$ છે. જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારીને $5F_0$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $V_2$ છે. $V_1$ અને $V_2$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય $4.0 \ eV$ છે. પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ કે જે આ પદાર્થમાંથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરાવી શકે,તેનું આશરે મૂલ્ય ............ $nm$ છે.

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,પ્રકાશિત સપાટી અને કલેક્ટર વચ્ચે જાળવવામાં આવતો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $V$,જે કોઈપણ ઈલેક્ટ્રોનને કલેક્ટર સુધી પહોંચતા અટકાવવા માટે જરૂરી છે,તે આપાત પ્રકાશની વિવિધ આવૃત્તિઓ $f$ માટે નક્કી કરવામાં આવે છે. મળેલ આલેખ દર્શાવેલ છે. આવૃત્તિ $f_1$ પર ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશનો કિરણપુંજ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર પડે છે,જે ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ માં રાખેલ છે. સૌથી વધુ ઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન,જે ક્ષેત્રને લંબ રૂપે ગતિ કરે છે,તે $R$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર ચાપમાં વળે છે. જો આ પ્રયોગ $\lambda$ ના વિવિધ મૂલ્યો માટે કરવામાં આવે,તો $B^2$ વિરુદ્ધ $\frac{1}{\lambda}$ નો આલેખ કેવો દેખાશે (અન્ય તમામ રાશિઓ અચળ રાખતા)?