सिलिकॉन $P-N$ जंक्शन में फॉरवर्ड और रिवर्स बायस में आवेश वाहकों (charge carriers) की गति के लिए प्रमुख तंत्र (mechanism) क्या है?
- Aफॉरवर्ड बायस में ड्रिफ्ट,रिवर्स बायस में डिफ्यूजन
- Bफॉरवर्ड बायस में डिफ्यूजन,रिवर्स बायस में ड्रिफ्ट
- Cफॉरवर्ड और रिवर्स दोनों बायस में डिफ्यूजन
- Dफॉरवर्ड और रिवर्स दोनों बायस में ड्रिफ्ट
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निम्नलिखित परिपथ में,एमीटर का पाठ्यांक क्या है ($mA$ में)?
एक $P-N$ जंक्शन डायोड में,यदि $P$ क्षेत्र $n$ क्षेत्र की तुलना में अधिक भारी रूप से डोप (heavily doped) किया गया है,तो अवक्षय परत (depletion layer) होगी:
Medium
View Solutionदो एमीटर $A_1$ और $A_2$ को दिए गए चित्र में दिखाए अनुसार जोड़ा गया है। एमीटर के आंतरिक प्रतिरोध की उपेक्षा करते हुए, मीटर $A_1$ में रीडिंग क्या है ($\text{A}$ में)?
यदि नीचे दिखाए गए परिपथ में प्रत्येक डायोड का अग्र अभिनत (forward bias) प्रतिरोध $25\,\Omega$ है,तो निम्नलिखित में से कौन सा विकल्प सही है?
एक डायोड सभी धाराओं के लिए $0.5\, V$ के स्थिर विभव पतन (potential drop) पर कार्य करता है और इसकी अधिकतम शक्ति रेटिंग $100\, mW$ है। यदि स्रोत वोल्टेज $1.5\, V$ है,तो डायोड के साथ श्रेणीक्रम में कितना प्रतिरोध जोड़ा जाना चाहिए ताकि परिपथ में धारा अधिकतम हो? ($\Omega$ में)
MediumAIIMS 2018
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