एक P-N जंक्शन डायोड में,यदि P क्षेत्र n क्षेत | vedclass

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Question

(B) अवक्षय परत की चौड़ाई अर्धचालक क्षेत्र की डोपिंग सांद्रता के व्युत्क्रमानुपाती होती है।गणितीय रूप से,$P$ क्षेत्र $(w_p)$ और $n$ क्षेत्र $(w_n)$ में

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$n$ क्षेत्र में बड़ी

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(B) अवक्षय परत की चौड़ाई अर्धचालक क्षेत्र की डोपिंग सांद्रता के व्युत्क्रमानुपाती होती है।गणितीय रूप से,$P$ क्षेत्र $(w_p)$ और $n$ क्षेत्र $(w_n)$ में अवक्षय परत की चौड़ाई डोपिंग सांद्रता $N_A$ और $N_D$ के साथ $w_p N_A = w_n N_D$ संबंध रखती है।चूंकि $P$ क्षेत्र अधिक भारी रूप से डोप किया गया है $(N_A > N_D)$,इसलिए $P$ क्षेत्र में अवक्षय परत की चौड़ाई कम होगी $(w_p अतः,अवक्षय परत $n$ क्षेत्र में अधिक विस्तृत होती है,जिसकी डोपिंग सांद्रता कम होती है।

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परिपथ में धारा $i$ ज्ञात कीजिए।

फॉरवर्ड बायस में $\text{P-N}$ जंक्शन की $\text{I-V}$ विशेषता दिखाई गई है। जंक्शन का अनुमानित फॉरवर्ड प्रतिरोध है $-$ ($Omega$ में)

कौन सा डायोड फॉरवर्ड बायस में है?

अवक्षय परत (depletion layer) का विद्युत प्रतिरोध अधिक होता है क्योंकि

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