કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $(\lambda)$

$320 eV$ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ શોધો। ($h = 6.0 \times 10^{-34} \text{ SI unit}$, ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $m_{e} = 9.0 \times 10^{-31} \text{ kg}$, ઇલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} \text{ C}$ લો)। ($pm$ માં)

$2 \times 10^{-27} \,kg$ દળ ધરાવતા કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $3.3 \times 10^{-10} \,m$ છે. આ કણની ગતિઊર્જા કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \,J \cdot s$)

$10 \ kV$ ના વોલ્ટેજ દ્વારા પ્રવેગિત ઇલેક્ટ્રોન બીમની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. જો વોલ્ટેજ વધારીને $20 \ kV$ કરવામાં આવે,તો ઇલેક્ટ્રોન બીમ સાથે સંકળાયેલી ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી થશે?

સમાન ગતિઊર્જા ધરાવતા નીચેનામાંથી કયા કણની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ સૌથી વધુ છે?

$m$ દળ અને $v$ પ્રારંભિક વેગ ધરાવતો કણ $A$,સ્થિર રહેલા $\frac{m}{2}$ દળના કણ $B$ સાથે અથડાય છે. આ અથડામણ હેડ-ઓન અને સ્થિતિસ્થાપક છે. અથડામણ પછી ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ $\lambda_A$ અને $\lambda_B$ નો ગુણોત્તર શોધો.