$P-N$ જંકશનની નજીક ચાર્જ ઘનતા અને અંતર વચ્ચેનો વળાંક કેવો હશે?

કોઈપણ સર્કિટ સાથે જોડાયેલ ન હોય તેવા $p-n$ જંકશન ડાયોડમાં:

$Ge$ અને $Si$ ડાયોડ અનુક્રમે $0.3\,V$ અને $0.7\,V$ પર વહન કરવાનું શરૂ કરે છે. નીચેની આકૃતિમાં,જો $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે,તો $V_0$ ના મૂલ્યમાં કેટલો ફેરફાર થશે: ...... $V$ (ધારો કે $Ge$ ડાયોડ પાસે મોટો બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે).

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ કેપેસિટર $(20 \mu\text{F})$,અવરોધ $(100 \Omega)$ અને બે સમાન ડાયોડ ધરાવતા પરિપથને ધ્યાનમાં લો. ફોરવર્ડ બાયસ સ્થિતિમાં દરેક ડાયોડનો અવરોધ $10 \Omega$ છે. પરિપથનો ટાઈમ કોન્સ્ટન્ટ $\alpha \times 10^{-3} \text{ s}$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે.

જો $p-n$ જંકશન પરનો પોટેન્શિયલ બેરિયર $0.6\,V$ હોય,તો $6 \times 10^{-6}\,m$ પહોળાઈ ધરાવતા ડેપ્લેશન રિજનમાં વિદ્યુતક્ષેત્રની તીવ્રતા $......\times 10^{5}\,N/C$ થશે.

જો ડાયોડમાં ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ વધારવામાં આવે,તો ડેપ્લેશન રિજનની પહોળાઈ $\qquad$ .