હવા ભરેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $C_0$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાનો અડધો ભાગ $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થથી ભરવામાં આવે છે. નવું કેપેસિટન્સ $C_n$ થાય છે. $C_n$ અને $C_0$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. તે એક ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરેલું છે જેનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $k(x)=K(1+\alpha x)$ મુજબ બદલાય છે,જ્યાં $x$ એ એક પ્લેટથી માપેલું અંતર છે. જો $(\alpha d) << 1$ હોય,તો સિસ્ટમનું કુલ કેપેસિટન્સ કયા સમીકરણ દ્વારા શ્રેષ્ઠ રીતે દર્શાવી શકાય?

એક કેપેસિટરનું કેપેસીટન્સ $5 \mu F$ છે જ્યારે તેની સમાંતર પ્લેટો $d$ જાડાઈના હવાના માધ્યમ દ્વારા અલગ પડેલી હોય છે. $1.5$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા અને પ્લેટો જેટલું જ ક્ષેત્રફળ પરંતુ $\frac{d}{2}$ જાડાઈ ધરાવતા પદાર્થનો એક સ્લેબ પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. સ્લેબની હાજરીમાં કેપેસિટરનું કેપેસીટન્સ $..........\mu F$ થશે.

એક ગોલીય હવા કેપેસિટરનો બહારનો ગોળો અર્થિંગ કરેલો છે. તેની કેપેસિટન્સ વધારવા માટે:

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.05\, m$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે $3 \times 10^4\, V/m$ મૂલ્યનું વિદ્યુતક્ષેત્ર સ્થાપિત કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરને બેટરીથી અલગ કરવામાં આવે છે અને $0.01\, m$ જાડાઈની ધાતુની અવિદ્યુતભારિત પ્લેટ દાખલ કરવામાં આવે છે. જો ધાતુની પ્લેટને બદલે $K = 2$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી પ્લેટ મૂકવામાં આવે,તો સ્થિતિમાન તફાવત કેટલા $kV$ હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં એક ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ ભરવામાં આવે છે,જેનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અંતર $x$ સાથે $K(x) = K_0 + \lambda x$ (જ્યાં $\lambda$ અચળાંક છે) સંબંધ મુજબ બદલાય છે. કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ તેના શૂન્યાવકાશ કેપેસિટન્સ $C_0$ સાથે કયા સંબંધ દ્વારા જોડાયેલું હશે?