रिवर्स बायस्ड $p-n$ जंक्शन डायोड में ब्रेकडाउन होने की संभावना किसके कारण अधिक होती है?

दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड एक बैटरी से जुड़े हैं। बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा ......$A$ है।

निम्नलिखित में से कौन सा डायोड रिवर्स बायस (reverse biased) स्थिति में है?

नीचे दिए गए चित्र में दिखाए गए आदर्श $PN-$ जंक्शन डायोड से प्रवाहित होने वाली धारा क्या है? ($mA$ में)

एक सिलिकॉन डायोड में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई $1 \, \mu m$ है और नी विभव (knee potential) $0.6 \, V$ है, तो अवक्षय परत में विद्युत क्षेत्र होगा:

अनबायस्ड $PN$ जंक्शन के डिप्लीशन ज़ोन (depletion zone) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा/से कथन सत्य है/हैं?
$(A)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स (अशुद्धियों) के घनत्व से स्वतंत्र है।
$(B)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स के घनत्व पर निर्भर करती है।
$(C)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र आयनित डोपेंट परमाणुओं द्वारा उत्पन्न होता है।
$(D)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र कंडक्शन बैंड में इलेक्ट्रॉनों और वैलेंस बैंड में होल्स द्वारा प्रदान किया जाता है।