જ્યારે કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે તેની કેપેસિટન્સ,વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત અને સ્થિતિઊર્જામાં અનુક્રમે શું ફેરફાર થાય છે?

$A$ ક્ષેત્રફળ,$d$ પ્લેટ અંતર અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $k_1, k_2$ અને $k_3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ત્રણ અલગ-અલગ ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થો ભરવામાં આવ્યા છે. જો આ કેપેસિટરમાં સમાન કેપેસિટન્સ $C$ મેળવવા માટે એક જ ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થનો ઉપયોગ કરવાનો હોય,તો તેનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $k$ કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $40 \ cm^2$ અને પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $2 \ mm$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $1 \ mm$ જાડાઈ અને $5$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરવામાં આવે છે. સિસ્ટમનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે? ($\varepsilon_0 =$ શૂન્યાવકાશની પરમિટિવિટી)

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે છે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા ડાઈઈલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરી દેવામાં આવે છે. જો નવું કેપેસિટન્સ $3C$ હોય,તો માધ્યમનો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચોક્કસ પોટેન્શિયલ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ ચાર્જિંગ બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે. હવે,જો કેપેસિટરની પ્લેટોને એકબીજાથી દૂર કરવામાં આવે,તો:

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $A$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી બે ચોરસ સમાંતર પ્લેટોનું બનેલું છે,જે $d << \sqrt{A}$ અંતરે અલગ થયેલ છે. કેપેસિટરને $V$ પોટેન્શિયલ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે અને તેને સંપૂર્ણ ચાર્જ થવા દેવામાં આવે છે. ત્યારબાદ બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે. $A$ ક્ષેત્રફળ અને $d/2$ જાડાઈ ધરાવતી એક ધાતુની સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે એવી રીતે દાખલ કરવામાં આવે છે કે તે હંમેશા પ્લેટોને સમાંતર રહે. સ્લેબને દાખલ કરતી વખતે બાહ્ય એજન્ટ દ્વારા કેટલું કાર્ય કરવામાં આવ્યું હશે?