$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h = 4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં $n_e$ કેટલું હશે?
- A$5 \times 10^9 \ m^{-3}$
- B$2.25 \times 10^{10} \ m^{-3}$
- C$3 \times 10^{12} \ m^{-3}$
- D$9 \times 10^6 \ m^{-3}$
Explore More
Similar Questions
સેમિકન્ડક્ટરનું ડોપિંગ (નાના અશુદ્ધિ પરમાણુઓ સાથે) સામાન્ય રીતે અવરોધકતામાં નીચે મુજબ ફેરફાર કરે છે.
નીચેની બેન્ડ-એનર્જી આકૃતિ શું દર્શાવે છે?
Medium
View Solution$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર ઊર્જાસ્તર $E_A$ એ વેલેન્સ બૅન્ડની ઉપર $57 \, meV$ અંતરે આવેલું છે। હોલનું નિર્માણ કરવા માટે જરૂરી મહત્તમ તરંગલંબાઈ ....... $\mathring{A}$ છે। (આપેલ છે: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \, s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)
Difficult
View Solutionજર્મેનિયમ $(Ge)$ માં એલ્યુમિનિયમ $(Al)$ ની અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સ્વીકારનાર અણુઓનું સંકેન્દ્રણ $N_A \cong 10^{21} \text{ atoms/m}^3$ હોય અને આંતરિક વાહક સંકેન્દ્રણ $n_i = 10^{19} \text{ m}^{-3}$ હોય,તો ઈલેક્ટ્રોનનું સંકેન્દ્રણ કેટલું હશે?
Easy
View Solution$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ અને હોલ $n_h$ ની સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધારીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ કરવામાં આવે છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ ની સાંદ્રતા ગણો.
Difficult
View SolutionVedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo