$300 \ K$ पर शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता समान $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। इंडियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_h = 4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाती है। डोप्ड सिलिकॉन में $n_e$ का मान क्या होगा?
- A$5 \times 10^9 \ m^{-3}$
- B$2.25 \times 10^{10} \ m^{-3}$
- C$3 \times 10^{12} \ m^{-3}$
- D$9 \times 10^6 \ m^{-3}$
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