સેમિકન્ડક્ટરનું ડોપિંગ (નાના અશુદ્ધિ પરમાણુઓ સાથે) સામાન્ય રીતે અવરોધકતામાં નીચે મુજબ ફેરફાર કરે છે.

$P$ પ્રકારનો અર્ધવાહક તૈયાર કરવા માટે $Si$ ના નમૂનામાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે. આ અર્ધવાહકમાં $Si$ ના $5 \times 10^7$ પરમાણુદીઠ ઇન્ડિયમનો એક પરમાણુ ઉમેરેલ છે. $Si$ ના નમૂનાની પરમાણુઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ પરમાણુ/m}^3$ છે,તો સિલિકોનના $1 \text{ cm}^3$ ના સમઘનમાં એક્સેપ્ટરના કેટલા પરમાણુ હશે?

ધારો કે $n_e$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા છે અને $v_d$ એ ડ્રિફ્ટ વેગ છે. જ્યારે તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે:

એક અર્ધવાહકને વિદ્યુત ક્ષેત્રમાં મૂકવામાં આવે છે. ધારો કે વિદ્યુતભાર વાહકોની સંખ્યા ઘનતા $n$ છે અને સરેરાશ ડ્રિફ્ટ વેગ $v$ છે. જો તાપમાન વધારવામાં આવે,તો:

જર્મેનિયમમાં ઇન્ડિયમની અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી શું બને છે?

જો $n_e$ અને $v_d$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને ડ્રિફ્ટ વેગ હોય, તો તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે શું થાય?