$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન એટલે કે $1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું હશે?

  • A
    $p$-પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 5 \times 10^9 \, m^{-3}$ છે
  • B
    $n$-પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ છે
  • C
    $p$-પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 2.5 \times 10^{10} \, m^{-3}$ છે
  • D
    $n$-પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 2.5 \times 10^{23} \, m^{-3}$ છે

Explore More

Similar Questions

ઓરડાના તાપમાને આંતરિક સિલિકોનના સ્ફટિકમાં કેરિયર સાંદ્રતા $1.6 \times 10^{16} / m^3$ છે. જો ડોનર સાંદ્રતાનું સ્તર $4.8 \times 10^{20} / m^3$ હોય,તો સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ્સની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

શુદ્ધ અર્ધવાહકની વાહકતા શેના દ્વારા વધારી શકાય છે?

ઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ (intrinsic) અર્ધવાહકમાં હોલની સંખ્યા ઘનતા $(n_h)$ અને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા $(n_e)$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?

શુદ્ધ સિલિકોનમાં, એકમ કદ દીઠ ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા $1.6 \times 10^{16} \,m^{-3}$ છે. જો સિલિકોનમાં બોરોનનું ડોપિંગ એવી રીતે કરવામાં આવે કે જેથી હોલની ઘનતા વધીને $4 \times 10^{22} \,m^{-3}$ થાય, તો ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા કેટલી હશે?

હોલ (hole) પરનો વીજભાર કોના વીજભાર જેટલો હોય છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo