500, K पर शुद्ध Si में इलेक्ट्रॉन (n_e) और हो | vedclass

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Question

(A) जब $Si$ या $Ge$ को इंडियम $(In)$ जैसी त्रिसंयोजी अशुद्धि के साथ डोप किया जाता है,तो $p$-प्रकार का अर्धचालक प्राप्त होता है।दिया गया है,आंतरिक वाहक

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$p$-प्रकार,जिसमें इलेक्ट्रॉन सांद्रता $n_e = 5 	imes 10^9 \, m^{-3}$ है

Vedclass · Answer

(A) जब $Si$ या $Ge$ को इंडियम $(In)$ जैसी त्रिसंयोजी अशुद्धि के साथ डोप किया जाता है,तो $p$-प्रकार का अर्धचालक प्राप्त होता है।दिया गया है,आंतरिक वाहक सांद्रता $n_i = 1.5 	imes 10^{16} \, m^{-3}$ और होल सांद्रता $n_h = 4.5 	imes 10^{22} \, m^{-3}$ है।चूंकि $n_h > n_i$,इसलिए यह अर्धचालक $p$-प्रकार का है।मास एक्शन लॉ के अनुसार,$n_e \cdot n_h = n_i^2$ होता है।अतः,$n_e = \frac{n_i^2}{n_h} = \frac{(1.5 	imes 10^{16})^2}{4.5 	imes 10^{22}} = \frac{2.25 	imes 10^{32}}{4.5 	imes 10^{22}} = 0.5 	imes 10^{10} = 5 	imes 10^9 \, m^{-3}$।

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