પ્રકાશ એક ધાતુની સપાટી પર અથડાય છે, જેના કારણે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થાય છે. આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $248 \, nm$ છે. જો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2.8 \, eV$ હોય, તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($ \, eV$ માં)? ($hc = 1240 \, eV \cdot nm$ લો).

એક ચોક્કસ ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $3.31 \times 10^{-19} \,J$ છે। $5000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા આપાત વિકિરણ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($\text{ eV}$ માં)? (આપેલ છે: $h = 6.62 \times 10^{-34} \,J \cdot s$,$c = 3 \times 10^8 \,m/s$,$e = 1.6 \times 10^{-19} \,C$)

જ્યારે આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $v$ થી બદલાઈને $\frac{3v}{2}$ થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ બમણું થાય છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે?

નીચેની ધાતુઓ માટે વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) આપેલા છે:
$Na: 2.75\;eV; K: 2.30\;eV; Mo: 4.17\;eV; Ni: 5.15\;eV$. ફોટોસેલથી $1\;m$ દૂર રાખેલા $He-Cd$ લેસરની $3300\,\mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા વિકિરણ માટે આમાંથી કઈ ધાતુઓ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન દર્શાવશે નહીં? જો લેસરને નજીક લાવીને $50\;cm$ દૂર રાખવામાં આવે તો શું થાય?

$7.21 \times 10^{14} \; Hz$ ની આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ એક ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. સપાટી પરથી $6.0 \times 10^{5} \; m/s$ ની મહત્તમ ઝડપ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ઇલેક્ટ્રોનના ફોટો-ઉત્સર્જન માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં આપાત પ્રકાશની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $380 \, nm$ છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $260 \, nm$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે: .............. $eV$. આપેલ છે: $E \text{ (in } eV) = \frac{1237}{\lambda \text{ (in } nm)}$.