ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં આપાત પ્રકાશની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $380 \, nm$ છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $260 \, nm$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે: .............. $eV$. આપેલ છે: $E \text{ (in } eV) = \frac{1237}{\lambda \text{ (in } nm)}$.

વિધાન : જો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ઓછું હોય તો તેની ફોટોસેન્સિટિવિટી વધારે હોય છે.
કારણ : વર્ક ફંક્શન $= hf_0$ જ્યાં $f_0$ એ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ છે.

$6561 \; \mathring{A}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ $p$ ધાતુની સપાટી પર આપાત થઈને ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે છે. આ ઈલેક્ટ્રોનને $3 \times 10^{-4} \; T$ ના સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં દાખલ કરવામાં આવે છે. જો ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા અનુસરવામાં આવતા સૌથી મોટા વર્તુળાકાર માર્ગની ત્રિજ્યા $10 \; mm$ હોય,તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ............... $eV$ ની નજીક છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં પ્રકાશના બિંદુવત ઉદગમનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. જો ઉદગમને ઉત્સર્જક ધાતુથી દૂર લઈ જવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $3.3 \times 10^{14} \text{ Hz}$ છે. જો આ ધાતુ પર $8.20 \times 10^{14} \text{ Hz}$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જન માટે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ આશરે ............ $V$ થશે.

ધાતુની સપાટી પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5200 \ \mathring A$ છે. નીચેનામાંથી કયો સ્ત્રોત આ સપાટી પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન પ્રેરી શકશે?