प्रकाश एक धातु की सतह से टकराता है जिससे प्रकाश-विद्युत उत्सर्जन होता है। आपतित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य $248 \, nm$ है। यदि उत्सर्जित इलेक्ट्रॉनों के लिए निरोधी विभव (stopping potential) $2.8 \, eV$ है, तो धातु का कार्य फलन (work function) क्या होगा ($ \, eV$ में)? ($hc = 1240 \, eV \cdot nm$ लें)।

$0.5 \ eV$ कार्य फलन वाली धातु की सतह पर $1 \ eV$ और $2.5 \ eV$ ऊर्जा वाले फोटॉन आपतित होते हैं,तो उत्सर्जित फोटो-इलेक्ट्रॉनों की अधिकतम गतिज ऊर्जा का अनुपात क्या होगा?

यदि किसी फोटोसेल से उत्सर्जित होने वाले इलेक्ट्रॉन का अधिकतम वेग $4 \times 10^8 \, cm/s$ है,तो निरोधी विभव (stopping potential) ................ $V$ होगा (इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान $= 9 \times 10^{-31} \, kg$)।

$1\, cm$ त्रिज्या और $4.47\, eV$ कार्य फलन वाले तांबे के गोले पर $2500\, \mathring{A}$ तरंगदैर्ध्य के पराबैंगनी विकिरण आपतित किए जाते हैं। विकिरण के प्रभाव के कारण गोले से इलेक्ट्रॉनों का उत्सर्जन होता है। इसके परिणामस्वरूप गोला आवेशित हो जाता है और उस पर एक निश्चित विभव उत्पन्न होता है। गोले पर अर्जित आवेश है:

दो फोटॉन, जिनमें से प्रत्येक की ऊर्जा $2.5 \ eV$ है, $4.5 \ eV$ कार्य फलन वाली धातु की सतह पर आपतित होते हैं। तो . . . . . . .

$1 \,W$ शक्ति के बिंदु स्रोत से $1 \,m$ की दूरी पर एक कोबाल्ट $(Co)$ प्लेट रखी गई है। मान लीजिए कि प्लेट का $r = 1 \,Å$ त्रिज्या वाला एक वृत्ताकार क्षेत्र विकिरण के संपर्क में है और फोटो-इलेक्ट्रॉन उत्सर्जित करता है। प्रकाश ऊर्जा को समान रूप से फैला हुआ माना जाता है और कोबाल्ट का कार्य फलन (work function) $5 \,eV$ है। फोटो-इलेक्ट्रॉन उत्सर्जित करने के लिए लक्ष्य को प्रकाश स्रोत के संपर्क में कितने न्यूनतम समय के लिए रखा जाना चाहिए (यह मानते हुए कि कोई परावर्तन हानि नहीं है) ($\,s$ में)?