$4 \times 10^{14} \,Hz$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $2.14 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે। ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે ($\,eV$ માં)? $\left[h=6.63 \times 10^{-34} \,J-s\right]$

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(E_{k})$ નો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથેનો ફેરફાર નીચેનામાંથી કયો આલેખ યોગ્ય રીતે દર્શાવે છે?

ફોટોસેલ સર્કિટમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ એ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનું માપ છે. નીચેનો આલેખ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu$ વિરુદ્ધ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલના પ્રાયોગિક રીતે માપેલા મૂલ્યો દર્શાવે છે. આલેખ પરથી નક્કી કર્યા મુજબ પ્લાન્કનો અચળાંક અને વર્ક ફંક્શનના મૂલ્યો છે (ઈલેક્ટ્રોનિક ચાર્જનું મૂલ્ય $e = 1.6 \times 10^{-19} \, C$ લેતા):

જો આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(v)$ વધારવામાં આવે અને અન્ય પરિબળો અચળ રાખવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ($v > v_0$,થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ) શું થશે?

એક ધાતુની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $F_0$ છે. જ્યારે $2F_0$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $V_1$ છે. જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારીને $5F_0$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $V_2$ છે. $V_1$ અને $V_2$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

એક ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) $5.01 \, eV$ છે. જ્યારે તેના પર $2000 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત થાય છે ત્યારે ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. સૌથી ઝડપી ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે લાગુ પાડવો પડતો પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $volt$ છે $[h = 4.14 \times 10^{-15} \, eV \cdot s]$