આકૃતિમાં દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે અને ક્રમિક પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. બિંદુઓ $A$ અને $B$ વચ્ચેનું અસરકારક કેપેસીટન્સ કેટલું છે?

$Q$ વીજભાર અને $M$ દળ ધરાવતો એક કણ $B$ તીવ્રતા ધરાવતા સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં $R$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર માર્ગે ગતિ કરે છે। હવે આ જ કણ તેટલી જ ઝડપથી નળાકાર કેપેસિટરના નળાકાર ઇલેક્ટ્રોડ્સ વચ્ચેની જગ્યામાં $R$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર માર્ગે ગતિ કરે છે। અંદરના ઇલેક્ટ્રોડની ત્રિજ્યા $R/2$ છે અને બહારના ઇલેક્ટ્રોડની ત્રિજ્યા $3R/2$ છે। તો કેપેસિટરના ઇલેક્ટ્રોડ્સ વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?

આકૃતિમાં દર્શાવેલ સર્કિટમાં,ચાર કેપેસિટર એક બેટરી સાથે જોડાયેલા છે. એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર $10^5 \ V/m$ છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટ પરનો વિદ્યુતભાર $1 \ \mu C$ હોય,તો દરેક કેપેસિટર પ્લેટ પર લાગતું બળ.....$N$ છે.

નીચે દર્શાવેલ સર્કિટમાં $C_1 = 10 \, \mu F$, $C_2 = C_3 = 20 \, \mu F$ અને $C_4 = 40 \, \mu F$ છે. જો $C_1$ પરનો વિદ્યુતભાર $20 \, \mu C$ હોય, તો $X$ અને $Y$ વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત ......... $V$ છે.

આપેલ પરિપથમાં, જો બિંદુ $C$ ને પૃથ્વી સાથે જોડવામાં આવે અને બિંદુ $A$ ને $+2000 \, V$ નું સ્થિતિમાન આપવામાં આવે, તો બિંદુ $B$ આગળનું સ્થિતિમાન .....$V$ છે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી તેને સ્થિર $E.M.F.$ ના સ્ત્રોતથી અલગ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ પ્લેટોને એકબીજાથી દૂર ખેંચવામાં આવે છે. ફરીથી તેને તે જ સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે છે. તો: