આકૃતિમાં,દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A = 2 \,m^2$ અને $d = 2 \times 10^{-3} \,m$ છે. પ્લેટ '$Q$' ને $q = 8.85 \times 10^{-8} \,C$ નો વિદ્યુતભાર આપવામાં આવે છે. પ્લેટ '$P$' અને '$R$' ને ગ્રાઉન્ડ (અર્થિંગ) કરેલ છે. તો પ્લેટ '$Q$' નું સ્થિતિમાન કેટલું હશે?

જ્યારે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $6\,cm$ હોય ત્યારે તેની કેપેસિટન્સ $15\,\mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર ઘટાડીને $2\,cm$ કરવામાં આવે,તો આ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ ......$\mu F$ થશે.

$10 \ cm$ ત્રિજ્યા ધરાવતી બે વર્તુળાકાર પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $0.15 \ A$ ના અચળ પ્રવાહ દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે. જો પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવતમાં થતો ફેરફારનો દર $7 \times 10^8 \ V/s$ હોય,તો સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેના અંતરનું પૂર્ણાંક મૂલ્ય $—$ (લો $\epsilon_0 = 9 \times 10^{-12} \ F/m, \pi = 22/7$) . . . . . . $\mu m$ છે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $100 \, cm^2$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1 \, mm$ છે. તે $6$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માઈકાથી ભરેલું છે. તો આ કેપેસિટરની સમતુલ્ય કેપેસિટન્સ ધરાવતા ગોળાની ત્રિજ્યા .......$m$ થશે.

પાંચ સમાન કેપેસિટર પ્લેટો આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ગોઠવેલી છે. તેઓ દરેક $2 \mu F$ ના કેપેસિટર બનાવે છે. પ્લેટોને $10 \ V$ ના $emf$ સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે છે. પ્લેટ $C$ પરનો વિદ્યુતભાર......$\mu C$ છે.

$10 \mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસીટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)?