p-n जंक्शन डायोड के मामले में,अवक्षय परत (dep | vedclass

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Question

(B) $p-n$ जंक्शन डायोड में,जब इसे रिवर्स बायस किया जाता है,तो लगाया गया वोल्टेज बैरियर विभव (barrier potential) का समर्थन करता है,जिससे अवक्षय परत की

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रिवर्स बायसिंग द्वारा बढ़ती है

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(B) $p-n$ जंक्शन डायोड में,जब इसे रिवर्स बायस किया जाता है,तो लगाया गया वोल्टेज बैरियर विभव (barrier potential) का समर्थन करता है,जिससे अवक्षय परत की चौड़ाई बढ़ जाती है। फॉरवर्ड बायसिंग में,अवक्षय परत की चौड़ाई कम हो जाती है क्योंकि फॉरवर्ड वोल्टेज विभव प्राचीर (potential barrier) का विरोध करता है। इसके अतिरिक्त,भारी डोपिंग के साथ अवक्षय परत की चौड़ाई कम हो जाती है क्योंकि आवेश वाहकों (charge carriers) की बढ़ी हुई सांद्रता के कारण स्पेस चार्ज क्षेत्र संकरा हो जाता है।

$p-n$ जंक्शन डायोड के मामले में,अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई:

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चित्र में दो $P-N$ जंक्शन जुड़े हुए हैं। निम्नलिखित में से किस संयोजन में $P-N$ जंक्शनों के सिरों पर वोल्टेज समान होगा?

दिए गए परिपथ के अनुसार,बैटरी से प्रवाहित होने वाली धारा का मान $\dots \; A$ होगा।

अवक्षय परत (depletion layer) में ....... होते हैं।

$P-N$ जंक्शन के निकट आवेश घनत्व और दूरी के बीच का वक्र कैसा होगा?

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