ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માં,ધાતુની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $(K.E.)$ શેના પર આધાર રાખે છે?

થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ ઘટાડવામાં આવે જેથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોન સમાન વેગથી ગતિ કરે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

એક ધાતુની સપાટી પર $400 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $1.68 \ eV$ માલૂમ પડે છે. તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય ............ $eV$ છે $(hc = 1240 \ eV \ nm)$.

જ્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જક પર વિકિરણ આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $9 \ V$ જોવા મળે છે. જો ઈલેક્ટ્રોન માટે $e/m$ નું મૂલ્ય $1.8 \times 10^{11} \ C \ kg^{-1}$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

બે જુદી જુદી આવૃત્તિનો પ્રકાશ કે જેના ફોટોનની ઊર્જા $1 \ eV$ અને $2.5 \ eV$ છે,તે $0.5 \ eV$ કાર્ય વિધેય વાળી ધાતુની સપાટી પર એક પછી એક આપાત કરવામાં આવે છે. ઉત્સર્જાતા ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.14\, eV$ છે. જો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.60\, V$ દ્વારા ફોટો કરંટ શૂન્ય કરવામાં આવે,તો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધો. (પરિણામ $nm$ માં)