બહિર્ગત અર્ધવાહકમાં હોલ અને ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા અનુક્રમે ${N_p}$ અને ${N_e}$ છે. તો:

આંતરિક અર્ધવાહકના રિકોમ્બિનેશન સહગુણક (recombination coefficient) ને સમજાવો અને સંબંધ $n_i^2 = n_e n_h$ મેળવો.

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \text{ meV}$ પર છે. હોલનું નિર્માણ કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઈ ($\mathring{A}$ માં) કેટલી હશે?

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં કુલ પ્રવાહનું સૂત્ર લખો.

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી,હોલની સાંદ્રતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ $Si$ માં નવી ઈલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $(n_e)$ ગણો.

શુદ્ધ સિલિકોનમાં, એકમ કદ દીઠ ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા $1.6 \times 10^{16} \,m^{-3}$ છે. જો સિલિકોનમાં બોરોનનું ડોપિંગ એવી રીતે કરવામાં આવે કે જેથી હોલની ઘનતા વધીને $4 \times 10^{22} \,m^{-3}$ થાય, તો ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા કેટલી હશે?