$n$-प्रकार के अर्धचालक में,अशुद्धि परमाणुओं द्वारा दान किए गए मुक्त इलेक्ट्रॉन किन ऊर्जा स्तरों पर स्थित होते हैं?

एक $P$-प्रकार के अर्धचालक में, स्वीकर्ता स्तर (acceptor level) वैलेंस बैंड से $57 \text{ meV}$ ऊपर है। होल बनाने के लिए आवश्यक प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य ($\mathring{A}$ में) क्या होगी?

एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में ऊर्जा अंतराल $E_{g}$,$1.2 \; eV$ है। इसकी होल गतिशीलता इलेक्ट्रॉन गतिशीलता से बहुत कम है और तापमान से स्वतंत्र है। $600 \; K$ और $300 \; K$ पर चालकता का अनुपात क्या है? मान लीजिए कि आंतरिक वाहक सांद्रता $n_{i}$ की तापमान निर्भरता $n_{i} = n_{0} \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$ द्वारा दी गई है,जहाँ $n_{0}$ एक स्थिरांक है।

होल (hole) पर आवेश किसके आवेश के बराबर होता है?

बाह्य (extrinsic) $P$ और $N$-प्रकार के अर्धचालक पदार्थों में,अशुद्धि परमाणुओं और शुद्ध अर्धचालक परमाणुओं का अनुपात लगभग कितना होता है?

कमरे के तापमान पर आंतरिक सिलिकॉन के एक क्रिस्टल में वाहक सांद्रता $1.6 \times 10^{16} / m^3$ है। यदि दाता सांद्रता स्तर $4.8 \times 10^{20} / m^3$ है,तो अर्धचालक में होल्स की सांद्रता क्या होगी?