$n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,અશુદ્ધિ પરમાણુઓ દ્વારા દાન કરવામાં આવેલા મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન કયા ઉર્જા સ્તરોમાં હોય છે?

અશુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક),ડોપિંગ અને ડોપન્ટ એટલે શું?

શુદ્ધ સિલિકોનના સેમ્પલમાં $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ ફોસ્ફરસ ઉમેરવામાં આવે છે. જો બધા ડોનર અણુઓ સક્રિય હોય અને ઈલેક્ટ્રોનની મોબિલીટી $1200 \text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$ હોય, તો $20^\circ\text{C}$ તાપમાને અવરોધકતા $\Omega\cdot\text{cm}$ માં કેટલી હશે?

શુદ્ધ સિલિકોનના નમૂનામાં $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ ફોસ્ફરસ ઉમેરવામાં આવે છે. જો બધા જ ડોનર પરમાણુઓ સક્રિય હોય,તો $20 ^oC$ તાપમાને અવરોધકતા (resistivity) કેટલી હશે? જો ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટી $1200 \text{ cm}^2/\text{V} \cdot \text{s}$ હોય. ($\Omega \cdot \text{cm}$ માં)

જર્મેનિયમને $N-$ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે તેમાં ઉમેરવામાં આવતો અશુદ્ધિ પરમાણુ કયો છે?

$P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \, meV$ પર એક્સેપ્ટર લેવલ છે. હોલ બનાવવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J-s$)